采用PowerPAK? SO-8L和DPAK封裝的100V N溝道器件具有8.9mΩ的RDS(ON)，占位面積為5mm x 6mm
賓夕法尼亞、MALVERN — 2014 年 3 月4 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，發(fā)布首顆通過AEC-Q101認(rèn)證的采用ThunderFET?技術(shù)的TrenchFET?功率MOSFET。為提高效率和節(jié)省汽車應(yīng)用里的空間，Vishay Siliconix 100V N溝道SQJ402EP、SQJ488EP和SQD50N10-8m9L提供了PowerPAK? SO-8L和DPAK封裝的產(chǎn)品中最低的導(dǎo)通電阻。
Vishay的ThunderFET技術(shù)可在單位晶粒面積內(nèi)實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻。在更低導(dǎo)通電阻是決定因素的應(yīng)用場合，這項技術(shù)使采用DPAK封裝的SQD50N10-8m9L在10V下實(shí)現(xiàn)了8.9mΩ的超低導(dǎo)通電阻;在空間是首要因素的時候，SQJ402EP和SQJ488EP在10V下11mΩ的導(dǎo)通電阻與之相近，而小尺寸5mm x 6mm PowerPAK? SO-8L封裝的尺寸只有DPAK封裝的一半。
今天推出的這些MOSFET的連續(xù)漏極電流達(dá)到50A，適用于汽車發(fā)動機(jī)控制單元里的噴射增壓應(yīng)用和照明控制單元里用于照明鎮(zhèn)流器的反激式轉(zhuǎn)換器。器件的柵極電荷低至18nC，具有低導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積(該參數(shù)是DC/DC轉(zhuǎn)換器里MOSFET的優(yōu)值系數(shù))，可減少開關(guān)損耗，并提高整體系統(tǒng)效率。
SQJ402EP、SQJ488EP和SQD50N10-8m9L通過了100%的Rg和UIS測試，符合JEDEC JS709A的無鹵素規(guī)定和RoHS指令2011/65/EU。器件的工作溫度為-55℃～+175℃。
器件規(guī)格表：
SQJ402EP、SQJ488EP和SQD50N10-8m9L已加入Vishay此前發(fā)布的通過AEC-Q101認(rèn)證的SQ Rugged系列。欲了解全部SQ系列器件的更多信息，請訪問。
新款車用MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十六周。
VISHAY簡介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財富1000 強(qiáng)企業(yè)”，是全球分立半導(dǎo)體(二極管、MOSFET和紅外光電器件)和無源電子元件(電阻器、電感器、電容器)的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費(fèi)、電信、軍事、航空航天、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設(shè)備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略，以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān)Vishay的詳細(xì)信息，敬請瀏覽網(wǎng)站 。
TrenchFET?、PowerPAK?和ThunderFET?是Siliconix incorporated的注冊商標(biāo)。
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