派恩杰負(fù)責(zé)市場與銷售的副總裁高治廷先生表示：“過去三年，派恩杰潛心研發(fā)，已經(jīng)發(fā)布了50余款650V/1200V/1700V SiC SBD、650V , 1200V , 1700V , 750V SiC MOS、650V GaN HEMT功率器件，這些產(chǎn)品在海內(nèi)外都已經(jīng)被一些一線客戶導(dǎo)入使用。經(jīng)第三方機(jī)構(gòu)&全球一線客戶實(shí)機(jī)測試驗(yàn)證，產(chǎn)品性能已達(dá)國際一流水平。我們爭取成為在海外市場最大份額的中國SiC & GaN品牌。”
據(jù)了解，派恩杰是成立于2018年9月的第三代半導(dǎo)體功率器件設(shè)計(jì)和方案商，目前已是國際標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)JC-70會(huì)議的主要成員之一，參與制定寬禁帶半導(dǎo)體功率器件國際標(biāo)準(zhǔn)。其創(chuàng)始人黃興是美國北卡州立大學(xué)博士，師承Dr. B. Jayant Baliga(IEEE終身會(huì)員，美國科學(xué)院院士，IGBT發(fā)明者，奧巴馬授予國家技術(shù)創(chuàng)新獎(jiǎng)?wù)?與Dr. Alex Q. Huang(IEEE Fellow, 發(fā)射極關(guān)斷晶閘管(ETO)的發(fā)明者)，在Cree / RFMD(Qorvo) / USCi等有長達(dá)十年的SiC & GaN功率器件設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)，累計(jì)發(fā)布10余篇科技論文，超過350次引用，20余項(xiàng)專利發(fā)明，技術(shù)實(shí)力非常強(qiáng)。
為此，2019年3月，派恩杰成立僅6個(gè)月即發(fā)布了第一款可兼容驅(qū)動(dòng)650V GaN功率器件。同年8月完成Gen3技術(shù)的1200V SiC MOS，填補(bǔ)了國內(nèi)空白。2020年先后發(fā)布用于5G數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器與工業(yè)輔助電源的650V、1700V工業(yè)級(jí)MOS以及用于車載充電機(jī)的650V車規(guī)級(jí)MOS。2021年2月發(fā)布1200V大電流車規(guī)級(jí)MOS，應(yīng)用于電動(dòng)汽車電驅(qū)單管及模塊。
官方資料顯示，派恩杰的SiC晶圓是由全球晶圓代工龍頭企業(yè)X-FAB生產(chǎn)制作的。X-Fab是全球第一家提供150mm SiC工藝的foundry，同時(shí)也是當(dāng)前全球具備規(guī)?；慨a(chǎn)能力的SiC晶圓代工廠TOP3，產(chǎn)能和品質(zhì)都很可靠。
耐高溫、高頻、大功率、高壓等特性，使得SiC器件在軌道交通、電網(wǎng)、光伏逆變器、新能源汽車、充電樁等多個(gè)領(lǐng)域扮演著重要角色。而GaN技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出等應(yīng)用。中國企業(yè)近年來快速布局第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域。作為寬禁帶半導(dǎo)體功率器件的新秀，派恩杰開始布局全球，這說明中國第三代半導(dǎo)體企業(yè)的技術(shù)水平已經(jīng)有機(jī)會(huì)可以與國際企業(yè)一爭高下。
（轉(zhuǎn)載）
