面對環(huán)保、能源等社會問題的日益嚴峻以及半導(dǎo)體電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)革新，ROHM(羅姆)專注功率、電源及模擬技術(shù)，推出電源管理芯片、功率器件等重磅級產(chǎn)品，助力工業(yè)及汽車電子領(lǐng)域研發(fā)項目節(jié)能高效，大幅減少開發(fā)周期和風險。掃描二維碼，可查看更多相關(guān)資料、申請免費樣品等。
新產(chǎn)品介紹 :
SerDes IC系列：
· 用來傳輸影像的SerDes IC“BU18xMxx-C”：根據(jù)分辨率優(yōu)化傳輸速率，功耗可降低27%;通過傳輸速率優(yōu)化功能和展頻功能將EMI峰值降低20dB左右;凍結(jié)檢測功能可以檢測圖像的凍結(jié)狀態(tài)，提高整個ADAS系統(tǒng)可靠性。
PMIC BD86852MUF-C：
· 用于攝像頭的PMIC(電源管理IC)“BD86852MUF-C”：僅通過單個IC即可進行電壓設(shè)置和時序控制，安裝面積減少約41%;通過抑制發(fā)熱量，實現(xiàn)78.6%的高轉(zhuǎn)換效率，進一步降低功耗。
Hybrid IGBT單管(RGWxx65C系列)：
· 內(nèi)置SiC二極管，損耗比以往IGBT產(chǎn)品低67%，為普及中的車載電子設(shè)備和工業(yè)設(shè)備提供更高性價比
· 符合AEC-Q101標準，可在車載和工業(yè)設(shè)備等嚴苛環(huán)境下使用
AC/DC 轉(zhuǎn)換器IC(BM2P06xMF-Z 系列)：
· 內(nèi)置 730V 耐壓 MOSFET，表貼封裝、可支持高達45W的輸出功率，有助于降低工廠的安裝成本
· 采用了融入ROHM高耐壓工藝技術(shù)和模擬設(shè)計技術(shù)的控制電路，待機功耗比普通產(chǎn)品低90%以上
· 電源電路元器件數(shù)量減少4個，功率半導(dǎo)體的故障風險更低，電源的可靠性更高
AC/DC轉(zhuǎn)換器IC(BM2SC12xFP2-LBZ)：
· 內(nèi)置1700V SiC MOSFET、可支持高達48W 輸出功率的小型表貼封裝，有助于削減工廠的安裝成本
· 將散熱板和多達12個部件縮減為1個，在小型化方面具有壓倒性優(yōu)勢
· 減少開發(fā)周期和風險，內(nèi)置保護功能，可靠性顯著提高
· 搭載的SiC MOSFET 驅(qū)動用柵極驅(qū)動電路，激發(fā)SiC MOSFET 性能，節(jié)能效果顯著
BD8758xYx-C運算放大器：
· 在4種國際抗擾度評估測試中均實現(xiàn)非常出色的抗干擾性能，可減輕降噪設(shè)計負擔
· 配備高精度仿真模型，可防止實際試制后返工
充電控制IC(BD71631QWZ):
· 支持需要低電壓充電的全固態(tài)和半固態(tài)電池等新型二次電池的充電，實現(xiàn)從2.0V到4.7V的寬充電電壓范圍
· 非常適合搭載薄型二次電池應(yīng)用的封裝尺寸，采用ROHM自有封裝技術(shù)的1.8mm×2.4mm×0.4mm薄小型封裝
· 可設(shè)置CCCV*2充電的各項充電特性(充電電流、終止電流等)，為搭載新型二次電池的可穿戴設(shè)備和小而薄的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備提供理想的充電環(huán)境
MOSFET(QH8Mx5/SH8Mx5系列)：
· 實現(xiàn)業(yè)界超低導(dǎo)通電阻，新工藝±40V耐壓產(chǎn)品Pch部分的導(dǎo)通電阻降低61%，Nch部分的導(dǎo)通電阻降低39%
· 雙極MOSFET，有助于實現(xiàn)設(shè)備的小型化和縮短設(shè)計周期
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