品牌介紹
中國半導(dǎo)體功率器件十強企業(yè)：揚杰科技(YANGJIE)
· 主要產(chǎn)品：中低壓MOSFET(VDSS：20V-150V)和高壓MOSFET(VDSS：500V-900V)
· 廠牌優(yōu)勢：專注于功率半導(dǎo)體芯片及器件制造、集成電路封裝測試等領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)發(fā)展，，通過了ISO9001，ISO14001，IATF16949等認(rèn)證，連續(xù)數(shù)年評為中國半導(dǎo)體功率器件十強企業(yè)。
國內(nèi)領(lǐng)先的的分立器件研發(fā)企業(yè)：長晶科技(JSCJ)
· 主要產(chǎn)品：覆蓋了12V~700V的功率型MOSFET
· 廠牌優(yōu)勢：專注于功率器件、分立器件、頻率器件、電源管理芯片、汽車電子等產(chǎn)品的研發(fā)制造商，其前身為長電科技(全球知名的集成電路封裝測試企業(yè))分立器件部門。主營產(chǎn)品包括二極管、三極管、MOSFET、LDO、DC-DC、頻率器件、功率器件等，擁有15000多個產(chǎn)品系列和型號，廣泛應(yīng)用于各消費類、工業(yè)類電子領(lǐng)域。同時公司還為汽車電子和軍工領(lǐng)域提供專業(yè)化產(chǎn)品和服務(wù)。
全球最大的二極管生產(chǎn)商之一：固锝(Good-Ark)
· 主要產(chǎn)品：整流二級管芯片、軸型硅整流二極管、開關(guān)二極管、穩(wěn)壓二極管、微型橋堆、表面安裝玻封和表面安裝塑封二極管、金屬玻璃封裝大功率整流管等。
· 廠牌優(yōu)勢：全球最大的二極管生產(chǎn)商之一，每月產(chǎn)量可達(dá)2.5億只，占世界產(chǎn)量的8%-9%。中國唯一一家擁有最多TR1汽車客戶認(rèn)證的企業(yè)。主營二極管&MOS，包含電流(0.2A~40A)、電壓(20V~200V)全系列大小功率產(chǎn)品，品類齊全，封裝多樣，漏電流小;具體自主晶圓供應(yīng)能力;以及車規(guī)級功率器件，包括小信號開關(guān)二極管，小信號穩(wěn)壓管，肖特基二極管，TVS二極管，整流二極管;產(chǎn)品都符合AECQ101標(biāo)準(zhǔn)，通過了IATF16949，ISO9001認(rèn)證。
國內(nèi)領(lǐng)先的MOSFET功率器件制造商——銳駿半導(dǎo)體(Ruichips)
· 主要產(chǎn)品：中壓MOSFET和低壓MOSFET(VDSS: 20V~120V)、高壓MOSFET(VDSS：650V~1200V)
· 廠牌優(yōu)勢：致力于新產(chǎn)品研發(fā)，產(chǎn)品自主率95%以上，現(xiàn)有Trench MOSFET、SGT MOSFET、Super JunctionMOSFET、LED Driver四大類產(chǎn)品線、數(shù)百種型號;累計獲得國家發(fā)明專利22 項尤其新一代SGT產(chǎn)品技術(shù)處于行業(yè)領(lǐng)先水平。在適配器快充、移動電源、車充、直流電機、新能源、太陽能光伏逆變、鋰電保護(hù)等應(yīng)用領(lǐng)域均占有領(lǐng)先地位。
中國第一批國產(chǎn)6英寸碳化硅(SiC)MOSFET晶圓生產(chǎn)商：瞻芯電子(InventChip)
· 主要產(chǎn)品：碳化硅MOSFET
· 廠牌優(yōu)勢：致力于開發(fā)以碳化硅為核心、高性價比的功率半導(dǎo)體器件和驅(qū)動控制IC產(chǎn)品。其SiC MOSFET第一輪流片，為中國第一批國產(chǎn)6英寸碳化硅(SiC)MOSFET晶圓。瞻芯電子(InventChip)是中國寬禁帶功率半導(dǎo)體及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟會員單位，榮獲2019年P(guān)SIC最具發(fā)展?jié)摿ζ髽I(yè)。
全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體分立器件制造商——PANJIT(強茂)
· 主要產(chǎn)品：低壓(20V-40V),中壓(50V-200V),高壓(400V-900V)全電壓范圍小訊號與功率MOSFET產(chǎn)品
· 廠牌優(yōu)勢：全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體分離器件制造商，擁有半導(dǎo)體上下游整合與自有核心技術(shù)的優(yōu)勢，致力于整流二極管、功率半導(dǎo)體、突波抑制器等分離式組件產(chǎn)品的研發(fā)生產(chǎn)，旗下半導(dǎo)體分離器件二極體類在全球市場排名前十。
領(lǐng)先的半導(dǎo)體功率器件及電源管理方案國產(chǎn)供應(yīng)商——無錫紫光微
· 主要產(chǎn)品：超結(jié)功率MOSFET、Multi-EPI超結(jié)MOSFET、溝槽式MOSFET、VD MOSFET、SGT MOSFTE
· 工藝：多層外延工藝、雙溝槽柵工藝
· 廠牌優(yōu)勢：紫光集團(tuán)旗下紫光國芯微電子股份有限公司(簡稱“紫光國微”)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的核心企業(yè)之一，專注于先進(jìn)半導(dǎo)體功率器件的設(shè)計研發(fā)、芯片加工和封裝測試。產(chǎn)品涵蓋500V-1200V高壓超結(jié)MOSFET、20V-150V中低壓SGT/TRENCH MOSFET、40V-1500V VDMOS、IGBT、IGTO、SIC等半導(dǎo)體功率器件。交期12-28周。
中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)，碳化硅功率器件領(lǐng)導(dǎo)品牌——基本半導(dǎo)體(BASiC)
· 主要產(chǎn)品：碳化硅MOSFET、碳化硅肖特基二極管
· 廠牌優(yōu)勢：基本半導(dǎo)體掌握國際領(lǐng)先的碳化硅核心技術(shù)，研發(fā)覆蓋碳化硅功率器件的材料制備、芯片設(shè)計、晶圓制造、封裝測試、驅(qū)動應(yīng)用等全產(chǎn)業(yè)鏈，先后推出全電流電壓等級碳化硅肖特基二極管(電壓規(guī)格650V-1700V;電流2A~40A)、通過工業(yè)級可靠性測試的1200V碳化硅MOSFET、車規(guī)級全碳化硅功率模塊等系列產(chǎn)品，性能達(dá)到國際先進(jìn)水平。其中650V碳化硅肖特基二極管產(chǎn)品已通過AEC-Q101可靠性測試。
國內(nèi)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體功率器件設(shè)計公司：派恩杰(PN Junction)
· 主要產(chǎn)品：含碳化硅MOS，碳化硅SBD，氮化鎵三極管等。
· 廠牌優(yōu)勢：獲全球Top3氮化鎵/碳化硅晶圓廠代工支持，全球Top5封裝廠代工支持，實現(xiàn)開模量產(chǎn)與技術(shù)升級，成功研發(fā)可兼容驅(qū)動650V氮化鎵功率器件，并完成Gen3技術(shù)的1200V碳化硅MOS，填補國內(nèi)技術(shù)產(chǎn)業(yè)空白。
國內(nèi)首家量產(chǎn)六英寸SiC MOS廠家——愛仕特(AST)
· 主要產(chǎn)品：SiC MOS芯片、SiC MOS模塊
· 廠牌優(yōu)勢：公司擁有全自主知識產(chǎn)權(quán)，已申請25項專利技術(shù)，采用6英寸技術(shù)已量產(chǎn)20余款650V~3300V全系列SiC MOSFET產(chǎn)品，并建立起車規(guī)級的SiC MOS模塊工廠，可為客戶提供整套應(yīng)用解決方案。
碳化硅專家，專業(yè)功率器件廠商--SLKOR(薩科微)
· 主要產(chǎn)品：碳化硅器件(碳化硅MOS管和碳化硅肖特基二極管)、MOS管、二極管、可控硅
· 廠牌優(yōu)勢：2010年開始研發(fā)生產(chǎn)第三代半導(dǎo)體SiC元器件，其設(shè)計、工藝和性能居世界前列。產(chǎn)品主要包括碳化硅MOS管和碳化硅肖特基二極管，電壓主要是650V和1200V;MOS管，采用先進(jìn)的溝槽柵工藝技術(shù)實現(xiàn)功率密度最大化，從而降低電流傳導(dǎo)過程中的導(dǎo)通損耗。擊穿電壓覆蓋-200V~650V，配合先進(jìn)的封裝技術(shù)，提供100mA~250A的電流范圍。
碳化硅專利儲備數(shù)量國內(nèi)排名第一供應(yīng)商——先導(dǎo)中心(SASTC)
· 主要產(chǎn)品：碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET
· 廠牌優(yōu)勢：致力于第三代半導(dǎo)體和先進(jìn)硅器件的關(guān)鍵共性技術(shù)工程化研發(fā)，主攻碳化硅、氮化鎵和先進(jìn)硅器件三個技術(shù)方向，研制出國內(nèi)領(lǐng)先的650V和 1200V 的肖特基二極管產(chǎn)品共23款，1200V的MOSFET產(chǎn)品共5款，同時具備40-650V電壓等級的電力電子器件和面向5G和特種頻段的微波功率器件研發(fā)能力。
專業(yè)碳化硅功率器件供應(yīng)商——即思創(chuàng)意(Fast SiC)
· 主要產(chǎn)品：碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET
· 廠牌優(yōu)勢：專注于可降低切換損耗適用于高頻操作的超低電容電荷碳化硅肖特基二極管及碳化硅MOSFET。全系列采用寄生電感小、小型化、表面貼焊的DPAK(TO-252) 及 QFN5x6封裝，可節(jié)省PCB面積及自動化上件檢測，適合有小型化高功率密度需求，如快充頭等應(yīng)用。交期16周。
中國最早從事SiC器件研究的科研單位之一：中電國基南方(CETC)
· 主要產(chǎn)品： 650V~1700VSiC MOSFET產(chǎn)品
· 廠牌優(yōu)勢：中國電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所，擁有國內(nèi)唯一的“寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件實驗室”。是國內(nèi)最早建立4、6英寸SiC生產(chǎn)線的公司，容納圓片能力10000片/年，公司通過了GB/T 19001、ISO9001等行業(yè)認(rèn)證。
電子元器件十大品牌企業(yè)——金譽半導(dǎo)體(JINYU SEMICONDUCTOR)
· 主要產(chǎn)品：二極管、三極管、 MOS管、IC集成電路
· 廠牌優(yōu)勢：集半導(dǎo)體研發(fā)、封裝、檢測(主要二三極管、 MOS管、IC集成電路)的高新技術(shù)有限公司，致力于為全球電子制造企業(yè)提供優(yōu)質(zhì)、高效、專業(yè)的半導(dǎo)體元器件需求解決方案。提供的包括中低壓MOSFET(VDSS:20V~150V)和高壓MOSFET(VDSS：500V~900V); 自主晶圓設(shè)計能力，多種外形封裝，中低壓MOSFET 12英寸 8英寸、高壓MOSFET 6英寸;中低壓MOSFET采用溝槽和SGT工藝，高壓MOSFET采用平面工藝;超低內(nèi)阻的芯片設(shè)計。月產(chǎn)能16億PCS 高壓MOS交期4-8周，中低壓MOS 1-2周交期。
專業(yè)的二/三極管、橋堆制造商——固得沃克(Goodwork)
· 主要產(chǎn)品：MOS類產(chǎn)品以N溝道為主，涉及20V，30V，50V，650V系列
· 廠牌優(yōu)勢：專注于二三極管、橋式整流器、MOS管的研發(fā)生產(chǎn)，擁有自主品牌“GK，GW”，建有12條芯片封裝及測試線，年產(chǎn)各類封裝的半導(dǎo)體整流橋、貼片二極管、直插二極管、MOS管等產(chǎn)品達(dá)100億顆。
全球知名整流器廠商——麗正國際(Rectron)
· 主要產(chǎn)品： 全系列MOSFET產(chǎn)品涵蓋低壓(below 60V)，中壓(below 200V)，高壓( 600V~650V~1200V)
· 廠牌優(yōu)勢：擁有超過40年的整流器制造經(jīng)驗的分立半導(dǎo)體優(yōu)質(zhì)制造商，為Apple，ZTE，LG，Honeywell等全球知名品牌供貨。麗正國際(Rectron)通過了UL、AEC-Q101、IATF16949、ISO9001、ISO14001 & OHSAS18000等認(rèn)證，采用 IPQC, SPC和TQM 方式提高半導(dǎo)體器件生產(chǎn)的質(zhì)量水平，確保<10PPM的故障率。
年產(chǎn)400KK功率半導(dǎo)體器件——銓力半導(dǎo)體(All Power)
· 主要產(chǎn)品：SGT MOS、COOLMOS、Trench Mos、Planar Mos
· 廠牌優(yōu)勢：致力于功率半導(dǎo)體元器件研發(fā)與銷售的國家高新技術(shù)企業(yè)，通過ISO9001質(zhì)量體系認(rèn)證。銓力依靠來自臺灣、美國硅谷及內(nèi)地的頂尖技術(shù)精英，加強自主研發(fā)創(chuàng)新能力，為行業(yè)提供性能更加卓越的產(chǎn)品，已經(jīng)成為新能源、電腦、網(wǎng)通、手機、電池、消費性產(chǎn)品等行業(yè)的長期合作伙伴，產(chǎn)品遠(yuǎn)銷海內(nèi)外。
業(yè)界領(lǐng)先的分立器件制造商：安邦(ANBON)
· 主要產(chǎn)品：TVS(瞬態(tài)電壓抑制管)、肖特基二極管、快恢復(fù)二極管、橋堆二極管、MOSFET、SiC二極管等
· 廠牌優(yōu)勢：分離式器件研發(fā)生產(chǎn)的功率半導(dǎo)體制造商，面向工業(yè)和汽車市場，自有晶圓廠，完整封裝產(chǎn)線。MOSFET電壓覆蓋到20V至200V;主營貼片封裝，采用溝槽工藝，自主設(shè)計晶圓;產(chǎn)品采用8寸芯片，具有低阻抗、大電流的特性，產(chǎn)品系列含車規(guī)認(rèn)證AEC-Q101。
半導(dǎo)體分立器件行業(yè)的創(chuàng)新先行者——明德微(TRR)
· 主要產(chǎn)品：中低壓MOSFET、高壓MOSFET
· 廠牌優(yōu)勢：擁有晶圓、封裝、器件測試 和應(yīng)用設(shè)計等多領(lǐng)域的核心技術(shù)，致力于新型元器件研制、銷售和應(yīng)用解決方案設(shè)計，已累計獲得約80多項國家授權(quán)發(fā)明專利。其中中低壓MOSFET的VRMM：30V~150V;IF:10A—230A;高壓MOSFET：VRMM：200V~900V;IF：2A—20A。
專注于半導(dǎo)體模擬芯片和分立器件封裝、測試、OEM代工的綜合性企業(yè)——合科泰電子(HKT)
· 主要產(chǎn)品：漏源極(BVDS)耐壓N-MOS、P-MOS、復(fù)合管
· 廠牌優(yōu)勢：采用歐盟生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)，在電路設(shè)計、半導(dǎo)體器件及工藝設(shè)計、可靠性設(shè)計、器件模型提取等方面積累了眾多核心技術(shù)，并獲得國家發(fā)明專利，實用新型專利等多項資質(zhì)。
全球碳化硅MOSFET頂尖制造商之一：美浦森(Maplesemi)
· 主要產(chǎn)品：超結(jié)MOSFET、高壓MOSFET
· 廠牌優(yōu)勢：致力于POWER MOSFET及碳化硅產(chǎn)品的研發(fā)和生產(chǎn)。目前8 英寸月產(chǎn)能12000片，6寸產(chǎn)能10000片，是東亞地區(qū)唯一的PLANNER 8英寸晶圓生產(chǎn)線，技術(shù)骨干均來自SAMSUNG(三星)和FAIRCHILD(仙童)。美浦森(Maplesemi)2009年獲得韓國政府IT VENTURE企業(yè)認(rèn)可，成為韓國首家躋身全球SiC MOSFET頂尖制造商。
MOSFET作為不可替代的基礎(chǔ)性產(chǎn)品，被廣泛應(yīng)用在各個領(lǐng)域。在全球節(jié)能減排大環(huán)境下， MOSFET相比于IGBT和三極管器件功耗低、工作頻率高，無電流拖尾等現(xiàn)象產(chǎn)生。世強硬創(chuàng)平臺匯聚國產(chǎn)知名MOSFET功率器件制造商， 可提供20V-1700V，包含低壓，中壓，高壓MOSFET，工作溫度最高可達(dá)175℃，推動研發(fā)項目快速國產(chǎn)化選型。
（轉(zhuǎn)載）
