極大規(guī)模先進(jìn)集成電路制造技術(shù)不斷演進(jìn)，業(yè)界對相關(guān)薄膜生長設(shè)備在均勻性、臺階覆蓋率及熱預(yù)算等方面的要求日益提升。原子層沉積技術(shù)憑借出色的保型性、高臺階覆蓋率和膜厚均勻性，在業(yè)界廣受認(rèn)可，但同時其沉積效率較低的弊端也亟待解決。立式爐批量處理特性很好地彌補(bǔ)了這一不足，奠定了立式爐原子層沉積設(shè)備在極大規(guī)模先進(jìn)集成電路制造中不可或缺的地位。
此外，立式爐原子層沉積設(shè)備也可配備射頻等離子體系統(tǒng)，以降低薄膜沉積的工藝溫度，滿足先進(jìn)工藝對于器件低熱預(yù)算的需求，因此近年立式爐原子層沉積設(shè)備受到業(yè)界的廣泛關(guān)注，在極大規(guī)模先進(jìn)集成電路制造的存儲、邏輯代工等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用，預(yù)計未來三年國內(nèi)市場規(guī)模約10億美元以上。
北方華創(chuàng)緊跟產(chǎn)業(yè)發(fā)展步伐，依托深厚的立式爐裝備技術(shù)積累，研發(fā)推出3款12英寸立式爐原子層沉積設(shè)備，進(jìn)入客戶端驗(yàn)證，且實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。
等離子體增強(qiáng)氮化硅(PEALD Si3N4)原子層沉積立式爐(產(chǎn)品型號：DEMAX SN302P)，突破了射頻等離子體產(chǎn)生和系統(tǒng)控制、原位清洗、腔室流場設(shè)計、爐體溫控以及電氣軟件交互快速響應(yīng)控制等一系列關(guān)鍵技術(shù)。設(shè)備廣泛應(yīng)用于極大規(guī)模先進(jìn)集成電路存儲和邏輯工藝器件阻擋層(ALD Si3N4/HRP)、側(cè)壁絕緣層和摻雜薄膜沉積(SiCN、SiBN)工藝，已斬獲多家邏輯和存儲領(lǐng)域頭部客戶訂單，裝機(jī)量和重復(fù)訂單量快速攀升。作為國產(chǎn)首批上市量產(chǎn)的等離子體增強(qiáng)氮化硅原子層沉積立式爐，為極大規(guī)模先進(jìn)集成電路制造提供了可靠的裝備支撐。
低介電常數(shù)(Low-K)原子層沉積立式爐(產(chǎn)品型號：DEMAX CON302X)，突破了液態(tài)源供應(yīng)控制、排氣快速切換控制、原位清洗以及多元素工藝調(diào)控等新技術(shù)，降低了硅源薄膜的介電常數(shù)。設(shè)備主要應(yīng)用于12英寸極大規(guī)模集成電路的柵極側(cè)壁薄膜沉積工藝，以獲得低介電常數(shù)、提升薄膜耐腐蝕性，工藝指標(biāo)優(yōu)于同類產(chǎn)品，滿足大規(guī)模集成電路對高性能絕緣層的需求，目前設(shè)備已進(jìn)入客戶端工藝驗(yàn)證階段。
間隙填充氧化硅原子層沉積立式爐(產(chǎn)品型號：DEMAX SN302T)，突破了器件高深寬比成膜填充和高品質(zhì)自由基氧化膜沉積技術(shù)，優(yōu)化了腔室流場和進(jìn)氣管設(shè)計，顯著提高了晶圓間成膜均勻性，并獲得了良好的薄膜絕緣性能和器件高深寬比填充效果。設(shè)備主要應(yīng)用于存儲領(lǐng)域氧化硅絕緣層和介質(zhì)填充層，尤其在3D-NAND(閃存)先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)——絕緣介質(zhì)間隙氧化硅填充工藝中廣泛應(yīng)用。在存儲陣列中，該氧化硅薄膜對與其相關(guān)的前后道膜層功能發(fā)揮著關(guān)鍵作用，是立式爐在該領(lǐng)域工藝制程中的骨干設(shè)備，市場前景廣闊。目前，設(shè)備已進(jìn)入客戶端。
北方華創(chuàng)經(jīng)過多年的技術(shù)創(chuàng)新及產(chǎn)業(yè)化驗(yàn)證，已實(shí)現(xiàn)立式氧化/退火爐，立式LPCVD和立式ALD系列設(shè)備全面布局，并預(yù)計在今年下半年推出立式爐原子層沉積設(shè)備的其他DEMAX系列產(chǎn)品。
未來，北方華創(chuàng)將秉承“以客戶為中心，持續(xù)創(chuàng)新”的核心價值觀，致力于為客戶提供全面的立式爐產(chǎn)品解決方案，專研核心技術(shù)、強(qiáng)化戰(zhàn)略布局，為人工智能、5G通信、云計算、大數(shù)據(jù)、新能源汽車等新興產(chǎn)業(yè)提供澎湃動力，推動產(chǎn)業(yè)進(jìn)步，創(chuàng)造無限可能。
（來源：北方華創(chuàng)）
