器件只占2.3mm2的面積，比分立MOSFET節(jié)省91%;在3.3V下的導(dǎo)通電阻低至6.5mΩ，靜態(tài)電流為0.015nA
賓夕法尼亞、MALVERN — 2014 年 2 月27 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出新的具有轉(zhuǎn)換速率控制功能的6.5mΩ雙向電池開(kāi)關(guān)--- SiP32101，可在便攜式電子設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備和儀器儀表中用來(lái)隔離低壓電池。在這些空間受限的應(yīng)用中，Vishay Siliconix SiP32101比使用分立MOSFET的方案能節(jié)省91%的PCB空間，在小尺寸12凸點(diǎn)WCSP封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)了低導(dǎo)通電阻和超低靜態(tài)電流。
在智能手機(jī)、平板電腦、數(shù)碼照相機(jī)、便攜會(huì)醫(yī)療器械、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)等產(chǎn)品中，PCB空間是首要考慮因素。在這些產(chǎn)品里，用于電池隔離的分立MOSFET方案要使用3個(gè)元器件，一般占用26mm2的面積。SiP32101的占位只有2.3mm2，可節(jié)約寶貴的電路板空間，降低總體的元器件數(shù)量，從而簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。另外，器件有一個(gè)低電平有效的使能pin腳，可以與GPIO直接接口，不需要另外加電平轉(zhuǎn)換電路或高壓柵極驅(qū)動(dòng)。在EN腳接了一個(gè)集成下拉電阻，在GPIO可能被浮空的地方，電阻能防止在低功率狀態(tài)下出現(xiàn)假接通。
SiP32101在3.3V下的導(dǎo)通電阻為6.5mΩ，可減少功率損耗，并提高效率。器件的輸入電壓為2.3V～5.5V，軟接通時(shí)間為2ms，可將涌入電流最小化，非常適合高容量的電池應(yīng)用和大電流的負(fù)載切換。負(fù)載開(kāi)關(guān)在導(dǎo)通和關(guān)斷狀態(tài)下只消耗非常小的電流。器件的靜態(tài)電流和關(guān)斷電流分別為0.015nA和0.01nA，這樣如果器件長(zhǎng)時(shí)間處于空閑狀態(tài)，電池電量也不會(huì)很快耗盡。
今天發(fā)布的電池負(fù)載開(kāi)關(guān)的工作溫度為-40℃～+85℃，符合RoHS，無(wú)鹵素，使用1.3mm x 1.7mm x 0.55mm WCSP封裝。
SiP32101現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十周。
VISHAY簡(jiǎn)介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財(cái)富1000 強(qiáng)企業(yè)”，是全球分立半導(dǎo)體(二極管、MOSFET和紅外光電器件)和無(wú)源電子元件(電阻器、電感器、電容器)的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計(jì)算、汽車(chē)、消費(fèi)、電信、軍事、航空航天、電源及醫(yī)療市場(chǎng)中幾乎所有類(lèi)型的電子設(shè)備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購(gòu)戰(zhàn)略，以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān)Vishay的詳細(xì)信息，敬請(qǐng)瀏覽網(wǎng)站 。
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