2017年11月27日,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新的25V N溝道TrenchFET? Gen IV功率MOSFET---SiRA20DP,這顆器件在10V的最大導(dǎo)通電阻為業(yè)內(nèi)最低,僅有0.58mΩ。Vishay SiliconixSiRA20DP具有最低的柵極電荷,導(dǎo)通電阻還不到0.6mΩ,使柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積優(yōu)值系數(shù)(FOM)也達(dá)到最低,可使各種應(yīng)用提高效率和功率密度。
今天發(fā)布的MOSFET采用6mm x 5mm PowerPAK?SO-8封裝,是目前最大導(dǎo)通電阻小于0.6mΩ的兩顆25V MOSFET之一。與同類器件相比,SiRA20DP的典型柵極電荷更低,只有61nC,F(xiàn)OM為0.035Ω*nC,低32%。其他25V N溝道MOSFET的導(dǎo)通電阻則要高11%甚至更多。
SiRA20DP的低導(dǎo)通電阻可減小傳導(dǎo)功率損耗,提高系統(tǒng)效率,實(shí)現(xiàn)更高的功率密度,特別適合冗余電源架構(gòu)中的OR-ring功能。器件的FOM較低,可提高開關(guān)性能,如通信和服務(wù)器電源中DC/DC轉(zhuǎn)換,電池系統(tǒng)中的電池切換,以及5V到12V輸入電源的負(fù)載切換。
這顆MOSFET經(jīng)過了100%的RG和UIS測試,符合RoHS,無鹵素。
SiRA20DP現(xiàn)可提供樣品,并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),大宗訂貨的供貨周期為十五周。
VISHAY簡介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財(cái)富1000 強(qiáng)企業(yè)”,是全球分立半導(dǎo)體(二極管、MOSFET和紅外光電器件)和無源電子元件(電阻器、電感器、電容器)的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計(jì)算、汽車、消費(fèi)、通信、國防、航空航天、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設(shè)備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略,以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān)Vishay的詳細(xì)信息,敬請瀏覽網(wǎng)站。
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