采用超薄PowerPAK? 1212-8S封裝的-20V P溝道器件在4.5V下RDS(ON)低至4.8 m?
賓夕法尼亞、MALVERN — 2014 年 4 月8 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，其Si7655DN MOSFET榮獲《今日電子》雜志的第六屆年度產(chǎn)品獎。Si7655DN是業(yè)內(nèi)首款采用3.3mm x 3.3mm封裝的-20V P溝道MOSFET，在4.5V柵極驅(qū)動下的最大導(dǎo)通電阻僅為4.8m?，是采用新版本Vishay Siliconix PowerPAK? 1212封裝的首款器件。
《今日電子》雜志的編輯從2013年在中國市場上推出的數(shù)百款產(chǎn)品中，根據(jù)設(shè)計創(chuàng)新、在技術(shù)和應(yīng)用上的顯著改進(jìn)，以及價格和性能上的重大成績進(jìn)行評估。Vishay的Si7655DN MOSFET因其在MOSFET領(lǐng)域取得的成功而獲獎。
Si7655DN使用新的PowerPAK 1212封裝版本和Vishay Siliconix領(lǐng)先的P溝道第III代技術(shù)，3.6m? (-10V)、4.8m? (-4.5V)和8.5m? (-2.5V)的最大導(dǎo)通電阻是業(yè)內(nèi)最低的。這些指標(biāo)比最接近的-20V器件提高17%以上。
Si7655DN的低導(dǎo)通電阻使設(shè)計者能在電路里實現(xiàn)更低的壓降，提高電能使用效率，延長電池壽命。器件的PowerPAK 1212-8S封裝高度為0.75mm，比PowerPAK 1212薄28%，可節(jié)省寶貴的電路板空間，同時保持相同的PCB布局設(shè)計。
產(chǎn)品數(shù)據(jù)表鏈接：
《今日電子》2013年度產(chǎn)品獎獲獎名單發(fā)布在2014年第2期上。中文介紹的完整獲獎名單見。
VISHAY簡介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富1000 強(qiáng)企業(yè)”，是全球分立半導(dǎo)體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無源電子元件（電阻器、電感器、電容器）的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費(fèi)、電信、軍事、航空航天、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設(shè)備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略，以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān)Vishay的詳細(xì)信息，敬請瀏覽網(wǎng)站 。
（轉(zhuǎn)載）
