自主安全和國產(chǎn)替代背景下，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈本土化成為長期趨勢。
半導(dǎo)體行業(yè)有“一代設(shè)備、一代工藝、一代產(chǎn)品”的發(fā)展特征。
作為一代工藝發(fā)展的前提，半導(dǎo)體設(shè)備的性能提升對所有下游變革起到?jīng)Q定性的先導(dǎo)作用，是實(shí)現(xiàn)自主可控國產(chǎn)化的關(guān)鍵領(lǐng)域。
SEMI預(yù)計2025年全球300nm設(shè)備支出將首次超過1000億美元，2027年將達(dá)到1370億美元的歷史新高。我國未來四年將保持每年300億美元以上的投資規(guī)模，持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)12英寸晶圓代工產(chǎn)能。
成熟制程產(chǎn)能占比快速提升，由此持續(xù)帶來的高強(qiáng)度資本支出，有望為半導(dǎo)體設(shè)備帶來廣闊的需求空間。
資料來源：SEMI
半導(dǎo)體設(shè)備是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵基石，泛指用于生產(chǎn)各類半導(dǎo)體產(chǎn)品所需的生產(chǎn)設(shè)備，支撐著年產(chǎn)值數(shù)千億美元的半導(dǎo)體行業(yè)和數(shù)萬億美元的電子信息行業(yè)。
典型的集成電路制造產(chǎn)線設(shè)備投資中，芯片制造及硅片制造設(shè)備投資占比約80%，是集成電路制造設(shè)備投資中的最主要部分。
集成電路制造領(lǐng)域典型資本開支結(jié)構(gòu)：
半導(dǎo)體設(shè)備主要分為前道工藝設(shè)備（晶圓制造）和后道工藝設(shè)備（封裝測試）。
前道晶圓制造分為7大工藝，分別為氧化/擴(kuò)散、光刻、刻蝕、離子注入、薄膜沉積、清洗和金屬化。相對應(yīng)的專用半導(dǎo)體設(shè)備主要包括氧化/擴(kuò)散設(shè)備、光刻設(shè)備、刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備、離子注入設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備、機(jī)械拋光設(shè)備等。
后道設(shè)備包括減薄、劃片、打線、Bonder、FCB、BGA 植球、檢查、測試設(shè)備等。
硅片制造是半導(dǎo)體加工的第一大環(huán)節(jié)。
硅片在經(jīng)過研磨，拋光，切片后形成硅晶圓片，也就是晶圓。
典型的晶圓制造過程復(fù)雜耗時，需要花費(fèi)6-8周的時間，涵蓋350多道步驟。
晶圓制造的工藝流程主要包括擴(kuò)散、光刻、刻蝕、離子注入、薄膜生長、拋光、金屬化。
主要用到的核心設(shè)備有薄膜沉積設(shè)備、光刻設(shè)備和刻蝕設(shè)備。
這三大設(shè)備的價值量占比遠(yuǎn)超其他設(shè)備，各自所占市場規(guī)模均接近20%。
光刻工藝是半導(dǎo)體制造中價值量、技術(shù)壁壘和時間占比最高的部分之一。
光刻設(shè)備在半導(dǎo)體前道制造設(shè)備中的占比約為20%。
加上配套的涂膠顯影設(shè)備和光刻工藝需要用到的掩模版、光刻膠等耗材，整體光刻工藝的費(fèi)用約占芯片生產(chǎn)成本的1/3左右，耗費(fèi)時間約占40%~00%。
光刻機(jī)內(nèi)部零件種類眾多，且越高端的光刻機(jī)組成越復(fù)雜，如EUV內(nèi)部零件多達(dá)8萬件以上。
主要組成系統(tǒng)包括：光源系統(tǒng)、光學(xué)系統(tǒng)（包括照明系統(tǒng)和投影物鏡）、掩模臺、掩模傳輸系統(tǒng)、工件臺、晶圓傳輸系統(tǒng)、對準(zhǔn)系統(tǒng)、調(diào)平調(diào)焦系統(tǒng)、環(huán)境控制系統(tǒng)、整機(jī)框架和減振系統(tǒng)、整機(jī)控制系統(tǒng)和整機(jī)軟件等。
其中光源、光學(xué)系統(tǒng)、雙工件臺為光刻機(jī)的三大核心部件，價值量占比約為15%、24%、12%。
光刻機(jī)光源包括UV、DUV和EUV，其中EUV技術(shù)難度極高。
光刻機(jī)光源供應(yīng)幾乎由美國Cymer和日本Gigaphoton壟斷。
目前Cymer（2013年被ASML收購）和日本的Gigaphoton近乎壟斷全球光刻機(jī)的光源供應(yīng)，且僅有Cymer能夠量產(chǎn)EUV光源，Gigaphoton也已進(jìn)入EUV光源量產(chǎn)機(jī)型商業(yè)化的驗證階段。
國內(nèi)僅科益虹源可提供DUV準(zhǔn)分子激光光源（KrF、ArF）。
投影物鏡是光刻機(jī)中實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)成像的關(guān)鍵部件，主要作用是將掩模圖形按照一定縮放比例成像到硅片上。
投影物鏡構(gòu)造復(fù)雜，通常由多枚鏡片組成，如ASML的DUV光刻機(jī)鏡頭由29片鏡片組成。
投影物鏡技術(shù)難度極高，國外光刻投影物鏡的光學(xué)、結(jié)構(gòu)設(shè)計專利主要集中于ASML、蔡司、Nikon和Canon，其中蔡司是全球唯一可提供EUV投影物鏡的廠商。
蔡司的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)與ASML聯(lián)系緊密，子公司Zeiss SMT是ASML光學(xué)部件的獨(dú)家供應(yīng)商，且ASML于2017年 收購了Ziess SMT 24.9%的股份并持有至今。
國內(nèi)相關(guān)研究集中在上海微電子、長春國科精密光學(xué)技術(shù)有限公司、北京國望光學(xué)科技有限公司、中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所等。
光刻機(jī)企業(yè)往往具備高外采率以及與供應(yīng)商共同研發(fā)的特點(diǎn)。
全球IC光刻機(jī)市場呈現(xiàn)“一超雙強(qiáng)”的競爭格局。
目前全球從事光刻機(jī)制造的公司主要包括ASML、Nikon、Canon、上海微電子、Veeco、Suss等公司，其中ASML、Nikon和Canon三家占據(jù)了絕大部分光刻機(jī)市場。
ASML在高端光刻機(jī)領(lǐng)域，特別是極紫外（EUV）光刻機(jī)方面，處于絕對領(lǐng)先地位，市場份額超過90%。中高端的ArF、ArFi、EUV光刻機(jī)市場均由ASML壟斷，ASML是目前全球唯一能夠生產(chǎn)EUV光刻機(jī)的廠商。
EUV光刻機(jī)采用極紫外光源，具有更高的分辨率和更短的曝光時間，適用于制造7納米及以下線寬的先進(jìn)芯片。
根據(jù)ASML最新的技術(shù)路線圖，未來十年內(nèi)光刻機(jī)產(chǎn)能將持續(xù)提升，目標(biāo)2030-2035年各品類光刻機(jī)產(chǎn)能提升至目前的1.5-2倍。
國內(nèi)方面，2023年以來上海、廣東、北京、湖北和安徽等地從荷蘭進(jìn)口光刻機(jī)的規(guī)?？焖僭鲩L。我國各省市光刻機(jī)的進(jìn)口體量往往能夠反映該地區(qū)晶圓廠未來的擴(kuò)產(chǎn)傾向，光刻機(jī)的進(jìn)口均價也可在一定程度上反映未來擴(kuò)產(chǎn)制程的先進(jìn)水平。
當(dāng)前海外出口管制逐步嚴(yán)苛，同時也為了滿足國內(nèi)高端芯片代工自給化的需求，光刻設(shè)備及零部件國產(chǎn)化的重要程度持續(xù)提升。
國內(nèi)對標(biāo)產(chǎn)品為ASML的DUV光刻機(jī)：TWINSCANNXT:2000i。以NXT:2000i為例，各子系統(tǒng)拆分如下：上海微電子負(fù)責(zé)光刻機(jī)設(shè)計和總體集成，北京科益虹源提供光源系統(tǒng)，北京國望光學(xué)提供物鏡系統(tǒng)，國科精密提供曝光光學(xué)系統(tǒng)，華卓精科提供雙工作臺，浙江啟爾機(jī)電提供浸沒系統(tǒng)；芯碁微裝直寫光刻。
上海微電子自主研發(fā)的600系列光刻機(jī)（如SSA600/20型號）突破了外國光刻機(jī)的限制，可批量生產(chǎn)90納米工藝的芯片，并且已經(jīng)成功交付了首臺28納米工藝的國產(chǎn)沉浸式光刻機(jī)。
蘇大維格向上海微電子提供光刻機(jī)用的定位光柵產(chǎn)品；藍(lán)英裝備是全球領(lǐng)先的清洗系統(tǒng)和表面處理設(shè)備及解決方案提供商，是上海微電子的供應(yīng)商；騰景科技的多波段合分束器產(chǎn)品已經(jīng)進(jìn)入上海微電子的供應(yīng)鏈。
華卓精科研制出國產(chǎn)光刻機(jī)雙工作臺系統(tǒng)，打破國外在這一領(lǐng)域的技術(shù)壟斷；福晶科技是全球最大的LBO、BBO非線性光學(xué)晶體生產(chǎn)商，光刻機(jī)平行光源系統(tǒng)已應(yīng)用于國產(chǎn)光刻機(jī)；茂萊光學(xué)提供精密的光學(xué)儀器，包括光刻機(jī)所需的透鏡和投影物鏡等組件；賽微電子主要提供光學(xué)器件、投影物鏡等。
晶方科技下屬的荷蘭ANTERYON公司服務(wù)于國際領(lǐng)先的光刻機(jī)廠商；奧普光電下屬的長春光機(jī)所是國內(nèi)光刻機(jī)技術(shù)研發(fā)的重要力量，長春光機(jī)所自上世紀(jì)九十年代起就專注于極紫外（EUV）光刻技術(shù)的研究，已取得了多項重大成果，包括國內(nèi)第一套EUV光刻原理裝置的研制和EUV光刻關(guān)鍵技術(shù)的研發(fā)等；同飛股份液體恒溫設(shè)備在半導(dǎo)體制造設(shè)備領(lǐng)域主要應(yīng)用于光刻機(jī)、刻蝕機(jī)等關(guān)鍵設(shè)備的溫度控制。
國內(nèi)光刻機(jī)零部件環(huán)節(jié)眾多，各細(xì)分領(lǐng)域都涌現(xiàn)出一批代表廠商。
光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈及部分主要廠商：
數(shù)據(jù)來源：各公司官網(wǎng)，郭乾統(tǒng)《基于光刻機(jī)全球產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r分析我國光刻機(jī)突破路徑》，東吳證券
刻蝕是決定集成電路特征尺寸的核心技術(shù)之一。
刻蝕工藝是指將經(jīng)圖形曝光并在半導(dǎo)體硅片表面的光刻膠微圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠下層薄膜材料上，選擇性刻蝕掉光刻膠下層材料上未被光刻膠掩蔽的部分。
刻蝕設(shè)備與光刻、薄膜沉積并稱為半導(dǎo)體制造三大核心設(shè)備。
流刻蝕設(shè)備分為CCP（電容耦合等離子體）和 ICP（電感耦合等離子體），CCP占比47%，ICP在刻蝕機(jī)總量中占比53%。
全球刻蝕設(shè)備市場格局高度集中，海外三大廠商寡頭壟斷，占據(jù)總市場份額的約90%。
刻蝕設(shè)備是國內(nèi)率先取得突破的半導(dǎo)體制造核心設(shè)備，中微公司、北方華創(chuàng)、屹唐股份等廠商在刻蝕設(shè)備引領(lǐng)國產(chǎn)替代。
中微公司在刻蝕方面基本上全面覆蓋，等離子體刻蝕設(shè)備已應(yīng)用在國際一線客戶從65納米到14納米、7納米和5納米及其他先進(jìn)的集成電路加工制造生產(chǎn)線及先進(jìn)封裝生產(chǎn)線。在3DNAND中，中微公司等離子體刻蝕設(shè)備已應(yīng)用于128層及以上的量產(chǎn)，新開發(fā)的用于超高深寬比掩膜刻蝕的ICP設(shè)備在生產(chǎn)線上驗證順利。
北方華創(chuàng)與中微公司并列刻蝕設(shè)備雙雄。ICP刻蝕國內(nèi)領(lǐng)先、12寸CCP晶邊刻蝕機(jī)Accura BE已經(jīng)推出并量產(chǎn)，2024年3月發(fā)布12英寸雙大馬士革CCP刻蝕機(jī)；國內(nèi)后起之秀廠商屹唐半導(dǎo)體的刻蝕干刻設(shè)備應(yīng)用于三星電子、長鑫存儲等客戶。
薄膜沉積是指在基底上沉積特定材料形成薄膜，使之具有光學(xué)和電等方面的特殊性能。
作為芯片結(jié)構(gòu)內(nèi)的功能材料層，薄膜性能直接影響電路圖形轉(zhuǎn)移質(zhì)量和芯片芯能，除了與沉積材料有關(guān)，最主要受薄膜沉積工藝影響。
按照工藝原理的不同可分為物理氣相沉積（PVD）設(shè)備、化學(xué)氣相沉積（CVD）設(shè)備和原子層沉積（ALD）設(shè)備。
其中，CVD占沉積設(shè)備整體市場份額的64%，其技術(shù)路線較多且具有較好的孔隙填充和膜厚控制能力，是應(yīng)用最廣的沉積設(shè)備。
薄膜沉積設(shè)備技術(shù)壁壘高，價值占比大。
全球薄膜沉積設(shè)備由國際巨頭高度壟斷，其中 PVD 領(lǐng)域應(yīng)用材料一家獨(dú)大，CVD、ALD領(lǐng)域為寡頭壟斷。
CVD設(shè)備應(yīng)用材料、泛林半導(dǎo)體、東京電子三家合計占有全球 70%市場份 額，整體保持穩(wěn)定；ALD設(shè)備先晶半導(dǎo)體、東京電子合計占全球 75%市場份額。
國內(nèi)薄膜沉積設(shè)備主要廠商包括中微公司、拓荊科技、北創(chuàng)華創(chuàng)、盛美上海等。
北方華創(chuàng)在PVD、APCVD以及用于功率等領(lǐng)域的PECVD、ALD等方面都有所布局，突破了多項核心技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了對邏輯芯片和存儲芯片金屬化制程的全覆蓋。
拓荊科技是國內(nèi)唯一一家產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用PECVD和SACVD設(shè)備的供應(yīng)商。產(chǎn)品適配國內(nèi)最先進(jìn)的28/14nm邏輯芯片、19/17nmDRAM芯片及64/128層3D NAND FLASH晶圓制造產(chǎn)線，并應(yīng)用于中芯國際、華虹集團(tuán)、長江存儲、廈門聯(lián)芯、燕東微電子等國內(nèi)主流晶圓廠，累計發(fā)貨超150臺。
盛美上海前道大馬士革ECD設(shè)備已實(shí)現(xiàn)批量訂單，SiNLPCVD客戶端進(jìn)行量產(chǎn)認(rèn)證。
涂膠顯影設(shè)備與光刻機(jī)緊密協(xié)作，是光刻工序中的核心設(shè)備。
涂膠顯影設(shè)備是光刻工序中與光刻機(jī)配套使用的涂膠、烘烤及顯影設(shè)備，包括涂膠機(jī)、噴膠機(jī)和顯影機(jī)。
涂膠顯影是光刻環(huán)節(jié)的核心工序之一：
在光刻工序涂膠顯影設(shè)備領(lǐng)域，日本處于全球領(lǐng)先地位，主要廠商包括日本東京電子（TEL）、日本DNS（Screen）等，均主要聚焦在前道晶圓加工領(lǐng)域。
國產(chǎn)廠商芯源微是國內(nèi)主要涂膠顯影設(shè)備供應(yīng)商，公司于2018年自主研發(fā)出首臺國產(chǎn)高產(chǎn)能前道涂膠設(shè)備，并成功通過下游集成電路制造廠工藝驗證。目前芯源微生產(chǎn)的前道涂膠顯影設(shè)備已獲得了多個前道大客戶訂單及應(yīng)用，部分型號設(shè)備工藝水平已能夠?qū)?biāo)國際主流機(jī)臺。
整體來看，涂膠顯影國產(chǎn)化率較低，替代空間十分廣闊。
半導(dǎo)體清洗是針對不同的工藝需求對晶圓表面進(jìn)行無損傷清洗以去除半導(dǎo)體制造過程中的顆粒、自然氧化層和拋光殘留物等雜質(zhì)的工序。
為減少雜質(zhì)對芯片良率的影響，實(shí)際生產(chǎn)中不僅需要提高單次清洗效率，還需在幾乎所有制程前后進(jìn)行頻繁清洗。
按照清洗原理劃分，清洗工藝可分為干法清洗和濕法清洗，目前90%以上的清洗步驟以濕法工藝為主。
全球半導(dǎo)體清洗設(shè)備由日本公司DNS和TEL主導(dǎo)，兩家市場份額占比合計約80%。
我國半導(dǎo)體清洗領(lǐng)域的廠商包括盛美上海、北方華創(chuàng)、芯源微和至純科技等。
盛美上海單片清洗設(shè)備最高可單臺配置18腔體，達(dá)到國際先進(jìn)水平，目前正在擬研發(fā)的產(chǎn)品包括干法設(shè)備拓展領(lǐng)域產(chǎn)品和超臨界CO2清洗干燥設(shè)備；芯源微的前道Spin Scrubber 清洗機(jī)設(shè)備目前已達(dá)到國際先進(jìn)水平，成功實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代。
相比于其他半導(dǎo)體設(shè)備，清洗設(shè)備的技術(shù)門檻較低，國產(chǎn)化率超過了其他大部分設(shè)備，未來五年有望率先實(shí)現(xiàn)全面國產(chǎn)化。
化學(xué)機(jī)械研磨/化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）是目前公認(rèn)的納米級全局平坦化精密加工技術(shù)。
在硅片制造環(huán)節(jié)，在完成拉晶、硅錠加工、切片成型環(huán)節(jié)后，在拋光環(huán)節(jié)，為最終得到平整潔凈的拋光片需要通過CMP設(shè)備及工藝來實(shí)現(xiàn)。
在先進(jìn)封裝領(lǐng)域，硅通孔（TSV）技術(shù)、扇出（Fan Out）技術(shù)、2.5D 轉(zhuǎn)接板（interposer）、3D IC等都需要使用CMP設(shè)備。
集成電路制造過程及CMP工藝應(yīng)用場景：
資料來源：華海清科
全球CMP設(shè)備廠商中，美國廠商應(yīng)用材料占據(jù)絕大部分份額約70%。
國內(nèi)CMP設(shè)備的主要供應(yīng)商為華海清科、北京爍科精微電子裝備有限公司和中電45所。
華海清科是國內(nèi)唯一一家能夠提供12英寸CMP設(shè)備商業(yè)機(jī)型的制造商。2014年推出了國內(nèi)首臺擁有核心自主知識產(chǎn)權(quán)的12英寸CMP設(shè)備，打破了國際巨頭在此領(lǐng)域數(shù)十年的壟斷；新拋光系統(tǒng)架構(gòu)CMP機(jī)臺Universal H300已經(jīng)實(shí)現(xiàn)小批量出貨；客戶包括中芯國際、長江存儲、華虹集團(tuán)等。
離子注入是一種摻雜技術(shù)，是將特定元素以離子形式加速到預(yù)定能量后注入至半導(dǎo)體材料之中，改變其導(dǎo)電特性并最終制成包括晶體管在內(nèi)的集成電路基本器件。
離子注入機(jī)設(shè)備十分龐大，包含幾個子系統(tǒng)：氣體系統(tǒng)、電機(jī)系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、控制系統(tǒng)和最重要的射線系統(tǒng)。
離子注入機(jī)系統(tǒng)構(gòu)成：
全球離子注入機(jī)市場，美國公司壟斷絕大部分市場份額，應(yīng)用材料(AMAT)占據(jù)了約70%的市場份額，壟斷全球離子注入市場，此外，亞舍立(Axcelis)占據(jù)約20%的市場份額。
日本也擁有日新、日本真空、住友重工等離子注入機(jī)知名廠商。
國內(nèi)企業(yè)中凱世通和中科信是集成電路離子注入機(jī)研發(fā)和生產(chǎn)領(lǐng)軍廠商。
2024年4月，凱世通半導(dǎo)體大束流離子注入機(jī)在客戶工廠舉行首臺move in儀式。這是凱世通于2022年1月獲得國內(nèi)主流12英寸芯片制造廠近7億元的設(shè)備訂單后，僅用3個月的時間，完成該訂單的首批多套設(shè)備順利發(fā)貨；2024年11月，凱世通成功向一家12英寸晶圓廠的新客戶交付了首臺低能大束流離子注入機(jī)。
中科信已實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)離子注入機(jī)28納米工藝制程全覆蓋，形成中束流、大束流、高能及第三代半導(dǎo)體等全系列離子注入機(jī)產(chǎn)品格局。
去膠是刻蝕或離子注入完成之后去除殘余光刻膠的過程。
全球干法去膠設(shè)備領(lǐng)域呈現(xiàn)多寡頭競爭的發(fā)展趨勢，前五大廠商的市場份額合計超過90%。
國內(nèi)廠商屹唐半導(dǎo)體市占率位居全球第一，已全面覆蓋全球前十大芯片制造商和國內(nèi)行業(yè)領(lǐng)先芯片制造商，當(dāng)前已量產(chǎn)的干法去膠設(shè)備已可用于90-5納米邏輯芯片、1Y到2X納米（約14-29nm）系列DRAM芯片以及32-128層3D NAND芯片的生產(chǎn)；盛美上海的產(chǎn)品主要為濕法光刻膠剝離設(shè)備。
在芯片封裝完成后，通過測試機(jī)和分選機(jī)的配合使用，對電路成品進(jìn)行功能及穩(wěn)定性測試，挑選出合格成品。
測試機(jī)又稱半導(dǎo)體自動化測試機(jī)，對芯片施加輸入信號、采集輸出信號，并將測試結(jié)果通過傳送給探針臺，探針臺據(jù)此對芯片進(jìn)行打點(diǎn)標(biāo)記，形成晶圓的Map圖。
測試服務(wù)廠家主要分為兩類：封測廠自有測試產(chǎn)線和專業(yè)的第三方測試公司。
測試機(jī)國外公司主要有泰瑞達(dá)、愛德萬、科休半導(dǎo)體，國內(nèi)代表廠商主要是長川科技、華峰測控。
國內(nèi)技術(shù)難度較低模擬測試機(jī)已基本實(shí)現(xiàn)自產(chǎn)自用，但技術(shù)難度要求較高的SoC測試機(jī)、存儲器測試機(jī)及RF測試機(jī)國產(chǎn)自給率仍然較低。
在國內(nèi)封測需求增加、產(chǎn)能吃緊以及價格上升的情況下，國內(nèi)四大封測廠長電科技、通富微電、華天科技、晶方科技募資擴(kuò)產(chǎn)有利拉動上游測試設(shè)備廠。
分選機(jī)主要應(yīng)用于芯片設(shè)計檢驗階段和成品終測（FT）環(huán)節(jié)，是終測環(huán)節(jié)重要檢測設(shè)備之一。
國內(nèi)分選機(jī)企業(yè)主要有長川科技（重力式和平移式分選機(jī)）、金海通（平移式分選機(jī)）、上海中藝（重力式分選機(jī)）、格朗瑞（轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)）、精測電子等。
整體來看，我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)近年來高速發(fā)展，雖然在高端光刻機(jī)和量測/檢測設(shè)備方面，國內(nèi)替代進(jìn)展相對緩慢，但在清洗、CMP、熱處理等領(lǐng)域的國產(chǎn)化率已超30%。隨著先進(jìn)制程產(chǎn)品逐步成熟以及先進(jìn)制程持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)，國產(chǎn)廠商設(shè)備有望持續(xù)提升整體國產(chǎn)化率。（來源樂晴智庫精選）
在光刻工序涂膠顯影設(shè)備領(lǐng)域，日本處于全球領(lǐng)先地位，主要廠商包括日本東京電子（TEL）、日本DNS（Screen）等，均主要聚焦在前道晶圓加工領(lǐng)域。
